Report: 2025-11-06
本日のトピック（2025-11-05 06:00 → 2025-11-06 06:00 JST）
- 見出し: 9月の世界半導体売上は695億ドルで前年比25.1%増 日本は4カ月連続マイナス
- 要点(2–4行):
- SIA発表の9月売上は695億ドルで前年同月比25.1%増
- 第3四半期売上は2084億ドルで前年比15.8%増
- 日本は6月以降4カ月連続で前年割れ
- 影響領域: サプライチェーン
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見出し: IntelがSambaNova買収交渉か AI推論で巻き返し狙い
- 要点(2–4行):
- Bloomberg報道としてIntelがSambaNova買収に向け協議中と伝達
- Falcon Shores計画見直しやCrescent IslandなどAI製品計画と併走
- SambaNovaはRDUアーキテクチャで推論最適化を訴求
- 影響領域: 設計/サプライチェーン
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見出し: SCREENがニコンのウエハー接合技術を譲受 先端パッケージ強化へ
- 要点(2–4行):
- SCREENがニコンのウエハー接合技術の譲受契約を締結し完了
- ハイブリッドボンディングなど先端パッケージ領域の強化を狙う
- 顧客の量産ニーズに対応する体制を整備
- 影響領域: 装置/製造/サプライチェーン
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見出し: テクセンドがシンガポール新工場設立 フォトマスクの供給網拡充
- 要点(2–4行):
- シンガポールのTampinesに新工場を設立し稼働開始へ
- AIや5Gなど成長分野向けに東南アジアとインド市場を開拓
- 現地の人材採用と工程自動化で供給能力を強化
- 影響領域: サプライチェーン/製造
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見出し: AMDが4Q売上見通しを上方示唆 AIチップ需要が牽引
- 要点(2–4行):
- 第4四半期売上見通しが市場予想を上回る水準と報道
- 生成AI向け製品の強い需要が成長を下支え
- 影響領域: サプライチェーン/設計
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見出し: 世界の半導体株が急落 時価総額約5000億ドルが消失と報道
- 要点(2–4行):
- AI関連を含む広範な半導体銘柄で売りが加速
- 先行き不透明感が投資家心理を圧迫
- 影響領域: サプライチェーン
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見出し: Nexperia問題が波及 ドイツが中国に働きかけ 日産はRogue減産へ
- 要点(2–4行):
- 独政府がNexperia部品の顧客保護のため中国側にロビー活動と報道
- サプライ混乱の影響で日産が日本でRogueの生産調整を実施へ
- 影響領域: サプライチェーン
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見出し: フォルクスワーゲンが地平線ロボティクスと中国向け車載チップを共同開発
- 要点(2–4行):
- 中国市場のスマートカー向けに独自チップを共同開発と報道
- 現地パートナー連携でソフトハード統合の競争力強化を狙う
- 影響領域: 設計/サプライチェーン
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見出し: ベトナムのチップトゥシップ構想に警戒感 巨大複合体育成にリスク指摘
- 要点(2–4行):
- 政府主導で半導体から造船まで担う複合企業構想を推進
- 統治や資本配分の課題など複数のレッドフラッグが指摘される
- 影響領域: サプライチェーン/製造
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見出し: 0.2Vでデータ保持の新型CMOSメモリを開発 ULVR SRAMのnST1採用
- 要点(2–4行):
- 東京科学大らが超低電圧で保持可能なCMOSメモリ技術を報告
- nST1インバータでVTCを最適化し0.2Vで安定保持を実現
- 8TUや10TUセルでQSNM向上と動作安定性を検証
- 影響領域: 設計/メモリ
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見出し: スマートコンタクトレンズ向け1.04平方ミリFeRAM搭載ASSPをRAMXEEDが開発
- 要点(2–4行):
- SEEDのスマートコンタクトレンズ向けに超小型チップを設計
- FeRAMとアナログ技術を統合し厳格なサイズ要件を満たす
- 影響領域: 設計/メモリ
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見出し: インドのケーララ州が半導体戦略で設計とIPに集中
- 要点(2–4行):
- 高コストなファブ建設ではなく設計とIPに重点を置く方針
- 雇用創出と産業育成を狙う地域戦略を打ち出す
- 影響領域: 設計/サプライチェーン
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見出し: NVIDIAがエッジLLM推論の最適化研究を公開 遅延と精度の指針を提示
- 要点(2–4行):
- EdgeReasoning研究でモデル規模やトークン予算など設計選択の影響を体系化
- 厳しいレイテンシ制約下での精度最大化手法を評価
- 影響領域: 設計/EDA
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見出し: EUV向けスズ酸化物レジストのブレンド戦略で耐食性と膜厚を両立
- 要点(2–4行):
- 清華大が12量体クラスターとの混合でエッチング耐性と膜厚を改善
- HP13から16nmを低露光量で達成しZファクターも良好
- 影響領域: 材料/製造
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見出し: 2D材料のvdWギャップがスケーリングを制約 TU WienがEOT下限を評価
- 要点(2–4行):
- vdWギャップがEOTに約2.7オングストローム相当を加算する可能性を指摘
- リーク抑制と寄生容量のトレードオフや代替界面提案を提示
- 影響領域: 材料/製造
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見出し: 3端子MoS2メムトランジスタの大規模クロスバーを実証 エッジAI向けに有望
- 要点(2–4行):
- 最大2048素子アレイで92%以上の歩留まりと約0.2fJの書き込みエネルギーを実現
- ゲート制御で出力分離性を高め再学習なしで曖昧性を解消
- 影響領域: 設計/メモリ
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見出し: フォーマル検証の価値が拡大 導入障壁低減と人材育成が鍵
- 要点(2–4行):
- シミュレーション負荷の削減や早期不具合検出の有効性が浸透
- LLM活用などで適用範囲拡大と運用容易化が進む可能性
- 影響領域: EDA
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