Report: 2025-11-11
本日のトピック(2025-11-10 06:00 → 2025-11-11 06:00 JST)
- 見出し: TSMCの10月売上が過去最高も成長持続性に論議
- 要点(2–4行):
- 10月売上高は前年同月比16.9%増で過去最高と報道
- 一方で月次の伸び鈍化がAI特需の持続性に疑問を投げかけるとの指摘
- AI向け需要は強いが供給能力や電力制約などの課題が浮上
- 影響領域: ファウンドリ/サプライチェーン
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: 中国がNexperiaの半導体輸出を再開 欧州との摩擦は継続
- 要点(2–4行):
- 中国当局がNexperiaの輸出を再開し自動車ECU向けなどの供給不安が後退
- 中国はEUに手続き進展を促しており規制協議の行方に不確実性が残る
- サプライヤーは代替設計や在庫調整で対応してきたが正常化が進む見通し
- 影響領域: サプライチェーン
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: ロームが上期黒字転換と通期上方修正 SiCは28年度に黒字化目標
- 要点(2–4行):
- 2025年度上期で黒字転換し通期見通しを上方修正
- SiC事業は2028年度に黒字化を目指し生産能力と開発を強化
- ゲーム機向けLSIや車載電源などの需要取り込みを図る
- 影響領域: 製造/材料/サプライチェーン
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: Western Digitalが2四半期連続の増収増益 ストレージ市況が回復
- 要点(2–4行):
- 2026年度第1四半期は売上と利益が前年比で改善
- GAAPとNon-GAAPの各指標で利益率が上昇
- クラウド向けHDDやフラッシュの需要回復が寄与
- 影響領域: メモリ/サプライチェーン
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: PatentixがFZ法でルチル型GeO2バルクを育成 バンドギャップ4.68eV
- 要点(2–4行):
- FZ法によりr-GeO2のバルク結晶育成に成功し最大径約5mmを確認
- r-GeO2はSiCやGaNを超える広帯域でパワーやUVデバイス応用が期待
- Flux法からFZ法へのシード展開で結晶性とファセット形成を検証
- 影響領域: 材料/製造/装置
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: 米量子エコシステムで製造と計算の連携が加速
- 要点(2–4行):
- SkyWaterが自社を量子ファウンドリと位置付けPsiQuantumやD-Waveに対応
- HPEや半導体各社が実用量子スーパーコンピュータ構築に向け連携との報道
- 量子向けプロセスとパッケージの国産化が競争力の鍵
- 影響領域: ファウンドリ/製造/サプライチェーン
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: β-Ga2O3で自由空間ゲートTrを実証 高耐圧と低リークを両立
- 要点(2–4行):
- 固体絶縁体を排した自由空間ゲートでサブしきい200mV/decと500V超の耐圧を達成
- チャネルはサブ100nmフィンで双方向ゲートを採用しION/IOFFは1e6超を実現
- 将来のメモリやセンシング電力デバイスへの展開を示唆
- 影響領域: 設計/製造/材料
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: ZnOナノ材料とUVでPFOSを分解 半導体工程のPFAS対策に道
- 要点(2–4行):
- 立命館大が低毒性ZnOと365nm光でPFOS濃度を10時間で大幅低減と報告
- 光励起でC-F結合を選択的に切断し無害化へ導くメカニズムを提示
- PFAS規制強化に向けた洗浄薬や排水処理の代替技術として期待
- 影響領域: 材料/製造
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: 中国の生成AIハード空白を誰が埋めるか 輸出規制でNVIDIAは中国ゼロ
- 要点(2–4行):
- 輸出規制強化で中国の米系GPU販売が停止し市場シェアは事実上ゼロに
- Huaweiが最有力でAlibabaやBaiduが続くが先端ノードやHBMが制約
- 中国内需は旺盛でクラウド事業者が国産アクセラレータ採用を拡大
- 影響領域: サプライチェーン/設計/メモリ
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: フォトニック計算3方式の効率と密度を比較 周辺回路込みで評価
- 要点(2–4行):
- IBMらがMZIやマイクロリング重みバンクなど3方式の効率と密度を算定
- 光回路とADCなど周辺エレクトロニクスを含むマイクロアーキで性能を評価
- ヘテロな光電混載のインメモリ推論で低遅延の可能性を示した
- 影響領域: 設計/EDA/装置
- 一次ソースURL(代表のみ箇条書き)