Report: 2025-12-23
本日のトピック（2025-12-22 06:00 → 2025-12-23 06:00 JST）
- 見出し: ダイヤモンドMOSFETを実動展示PDSが2030年代実用化へ連携模索
- 要点(2–4行):
- SEMICON Japan 2025で動作するダイヤモンドMOSFETを披露
- 2026年以降にEVなど重要アプリでの評価連携を拡大
- 2030年代の実用化を目標にパートナーを募集
- 影響領域: 材料/製造
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見出し: GaN FET採用のオーディオアンプが市場に登場
- 要点(2–4行):
- GaNの高速スイッチングと低損失特性を音響分野で活用する動きが進展
- iBasso Audioのデスクトップヘッドホンアンプなど具体例が登場
- 音質改善と高効率化への適用可能性が示される
- 影響領域: 設計/材料
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見出し: 半導体の性能向上はAI需要に追いつくのか
- 要点(2–4行):
- WSTSは2025年の半導体売上を18.9増の3640億ドルと予測
- 生成AI投資がデータセンターを牽引する一方で電力とコスト制約が顕在化
- 2026年の減速リスクも指摘され需給の先行きに不確実性
- 影響領域: サプライチェーン/設計
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見出し: サムコが原子層エッチング装置を投入GaN対応で低ダメージ
- 要点(2–4行):
- ALE方式のRIE-400iP-ALEとRIE-800iPC-ALEを正式発売
- 原子層単位の除去でマイクロローディング抑制と低損傷を実現
- 4インチと8インチ対応でラボから量産の用途を想定
- 影響領域: 装置/製造
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見出し: 超伝導検出器CB-KIDで4億画素イメージングに成功
- 要点(2–4行):
- 低温動作の超伝導検出器にTDCを組み合わせ高解像イメージングを実証
- 画素サイズ約1mm相当で合計4億画素を取得
- 高感度観測や量子計測への応用可能性を示す
- 影響領域: 設計/材料
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見出し: NVIDIAがH200を中国向け出荷へ2月中旬開始目標
- 要点(2–4行):
- 関係者情報としてH200の中国出荷を2月中旬までに開始する計画
- 米規制に配慮した枠組みで顧客向け供給を調整中
- 中国のAIインフラ投資動向に与える影響が注目
- 影響領域: サプライチェーン
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見出し: 中国がWingtechとNexperiaの交渉を確認業界に波紋
- 要点(2–4行):
- 当局はWingtechとNexperiaの協議を認め更なる交渉継続を促す
- Wingtech会長は係争長期化が世界の半導体に混乱を招くと警告
- Nexperiaを巡る動きが欧中サプライチェーンへの影響を懸念させる
- 影響領域: サプライチェーン/ファウンドリ
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見出し: LLMでハードウェア設計のBDD支援に関する論文公開
- 要点(2–4行):
- Bremen大学とDFKIが仕様文から振る舞いシナリオを自動抽出する手法を提案
- 検証効率向上とBDDのハード設計実務への適用拡大を狙う
- 影響領域: EDA/設計
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見出し: 2端子SOT MRAMの物理モデルとベンチマークを提案
- 要点(2–4行):
- 面内SOT材料ではSTT比の書込エネルギー改善は限定的と評価
- 垂直トルク材料の適用で20nm級デバイスはSRAM級の低エネルギーに接近
- SOT層通過経路を増やす新構造でスピン電流と効率向上を示唆
- 影響領域: メモリ/設計
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見出し: 3D-ICE 4.0が異種2.5D3Dの熱解析を高速化
- 要点(2–4行):
- 材料異方性保持や並列解法により従来比3.61〜6.46倍の高速化を達成
- グリッドを23%以上削減しつつ精度を維持しCOMSOLと比較検証
- 影響領域: EDA/設計/製造
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見出し: フォトニックメモリや単一光子スイッチなど研究進展
- 要点(2–4行):
- GFのシリコンフォトニクスで再生型フォトニックラッチメモリを試作
- SPADを用いた室温ギガヘルツ動作の単一光子光スイッチを実証
- エルビウム添加LNで広帯域のスローライト制御技術を報告
- 影響領域: 設計/材料
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見出し: 技術論文まとめGPUデータフローやPIMコンパイラなど
- 要点(2–4行):
- GPUでのデータフロー実行やテンプレート化チップ設計の研究を紹介
- SAMによるパッケージ健全性評価や熱機械解析のレビューを収録
- 量子分散計算やスマホEMサイドチャネルの最新研究も掲載
- 影響領域: 設計/EDA/製造
- 一次ソースURL（代表のみ箇条書き）