Report: 2026-07-01
本日のトピック（2026-06-30 06:00 → 2026-07-01 06:00 JST）
- 見出し: SEMI 300mmメモリ装置投資が2026年に500億ドル超
- 要点(2–4行):
- HBMやDDR5需要で2026年の投資は前年比29%増の520億ドルに達し2027年は570億ドルへ拡大する見通し
- 300mmメモリ月産能力は2026年に410万枚2027年に420万枚に伸長する見込み
- DRAM向け装置投資は2026年に370億ドルNANDは140億ドルへと増加が見込まれる
- 影響領域: 装置/メモリ/ファウンドリ
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見出し: 韓国が3S+1FでAI半導体に総額1京ウォン規模投資
- 要点(2–4行):
- 政府と大手企業が連携し地域拠点で迅速なファブ建設と次世代半導体の先導を狙う
- 2035年までに合計18.4GWのデータセンター電力を整備しクリーンエネルギーも拡充する計画
- SamsungやSK hynixなどが大規模増産にコミットし国内回帰を強化する
- 影響領域: メモリ/製造/ファウンドリ
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見出し: アプライドが3D構造対応SiN ALDとMoエッチを発表
- 要点(2–4行):
- Centris Spectral SiN ALDは3Dデバイス向けに高均一なSiN成膜と材料利用効率の向上を実現する
- Producer Selectra Mo Etchは3D NANDの高アスペクト比モリブデン除去を高精度に行う
- GAAや3D NANDの高度化で微細加工とエッチスループットの両立を狙う
- 影響領域: 装置/製造/メモリ
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見出し: Micronが利益額3期連続最高更新 メモリ市況追い風
- 要点(2–4行):
- 2026会計年Q3で売上と利益率が過去最高水準を更新しデータセンターとHBMが牽引した
- GAAPベース粗利は80%台に改善しNon GAAPでも80%超の水準を維持した
- クラウド向けHBMやDDR5の伸長で事業部門別でも増収増益が続く
- 影響領域: メモリ/サプライチェーン
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見出し: 東大らMoS2ナノチューブ径1nm合成でGAAチャネル実証
- 要点(2–4行):
- BNNTを鋳型に用い直径約1nmのMoS2ナノチューブを合成しGAAトランジスタのチャネル候補を示した
- 小径チューブでも結晶性と電気的特性を維持できる可能性を確認した
- 将来の原子スケールチャネル材料による微細化と高性能化に道を開く
- 影響領域: 材料/製造/設計
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見出し: 都産技研が300Cで誘電率安定の車載向け新材料を開発
- 要点(2–4行):
- 300Cまで誘電率の温度依存を抑えた新誘電体を開発しコンデンサの高温安定性を実証した
- 従来のBaTiO3系で課題だった高温での容量低下を改善した
- 高温環境の車載電装やパワー系での小型高信頼部品化に寄与する
- 影響領域: 材料/製造
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見出し: 三菱電機がバイオマス40%の高Tgエポキシ樹脂を開発
- 要点(2–4行):
- バイオマス度40%でTg180C以上の高耐熱を満たす新エポキシを発表した
- SEMI IPNのプロセスで実装信頼性を確保し高温用途に適用可能とする
- 2030年のグループ適用を目標に環境負荷低減と性能の両立を図る
- 影響領域: 材料/製造/サプライチェーン
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見出し: QualcommがDRAM直下計算HBCでAI推論の帯域効率を主張
- 要点(2–4行):
- DRAM積層下に一部演算を置くHBCアーキテクチャでデータ移動を短縮し電力とレイテンシ低減を狙う
- 次世代AI250カードで大容量メモリと高い実効帯域をうたいAI推論のコスト競争力向上を目指す
- 近接実装とTSV活用でHBM対抗のメモリウォール突破を図る
- 影響領域: 設計/製造/メモリ
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見出し: SEMI Engineering研究動向 Monolithic 3D低温集積と近接熱伝達
- 要点(2–4行):
- 単結晶Siナノ膜を低温積層するMonolithic 3Dで下層回路への熱影響を抑えた三層集積を実証した
- メタマテリアルで近接放射伝熱を強化しチップ冷却への応用可能性を示した
- PuDghostやLLM4RTLなど新手法がDRAM内演算の信頼性やRTL自動生成の課題に光を当てた
- 影響領域: 設計/製造/装置/EDA
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見出し: Intelが2026年Q2決算発表日を7月23日に設定
- 要点(2–4行):
- 米国時間7月23日引け後に決算を公表し同日14時PDTからカンファレンスコールを実施する
- PCとデータセンター市況やファウンドリ戦略の最新動向が焦点となる
- 影響領域: サプライチェーン
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