Report: 2026-09-11
本日のトピック（2026-09-10 06:00 → 2026-09-11 06:00 JST）
- 見出し: ASMLのハイNA推進が加速 大判マスク移行と協業拡大
- 要点(2–4行):
- ハイNA EUVの量産適用に向けIntelやTSMC、Samsungと連携を強化
- 6×12インチ大判フォトマスクへの移行や周辺エコシステム整備を推進
- 生産性は現行比最大40％向上を目標も本格立ち上げは2030年代前半の見通し
- 影響領域: 装置/ファウンドリ
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見出し: TSMCが売上記録更新とシェア拡大 AI特需で供給逼迫
- 要点(2–4行):
- 8月売上高は前年同月比53％増で過去最高を更新しAI向け先端ノードが牽引
- 2nmの立ち上げや5/4/3nmのフル稼働で需要が供給を上回る状況が続く
- Q2の世界ファウンドリ市場シェアは72.5％に拡大し過去最高水準
- 影響領域: ファウンドリ/サプライチェーン
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見出し: OpenAIとSamsungが次世代チップ協業を深化 メモリ連携を越え拡大
- 要点(2–4行):
- OpenAI韓国責任者が次世代チップの共同研究・生産で進展を言及
- Stargate向けDRAM供給に加え実装や先端パッケージ連携の広がりに注目
- 製造プロセスや量産時期など具体的な分担は未公表
- 影響領域: 設計/メモリ/サプライチェーン
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見出し: d-MatrixがNVLinkエコシステムに参入 推論アクセラレータをNVIDIA準拠で拡張
- 要点(2–4行):
- NVLink FusionとMGX設計を採用し将来のRaptorをNVSwitchで最大144基接続
- NVIDIAラック/ファブリック互換で導入障壁を下げエコシステム依存を強化
- NVLink IPライセンス拡大により競合チップもNVIDIA基盤で動作可能に
- 影響領域: 設計/サプライチェーン
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見出し: SanDiskのHBFが推論用メモリ構成を刷新 HBM依存低減へ
- 要点(2–4行):
- HBFはHBM並み帯域と大容量を両立し低コスト・低消費電力を訴求
- エージェントAIのデコードでHBM半減でも同等性能のエミュ結果を提示
- HBFコンソーシアムが仕様策定を進め2027年にサンプル出荷予定
- 影響領域: メモリ/設計
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見出し: 王子HDがPFASフリーEUVレジストで10nm線幅を実証 A14世代を視野
- 要点(2–4行):
- 木質バイオマス由来フォトレジストで10nm直線と16nmホールを形成
- imecとのHigh-NA EUV評価で先端世代プロセス適用性を示唆
- 高い保存・プロセス安定性と微細化性能を両立し環境規制に対応
- 影響領域: 材料/製造
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見出し: 国内半導体関連の25年度売上が過去5年最高 キオクシア首位 JASM急伸
- 要点(2–4行):
- 154社の合計売上は7兆9115億円で前年17％増 上位5社で約8割を占有
- キオクシアが2兆2581億円で首位 データセンター向けSSDが好調
- JASMは通年稼働で売上724億円と前年度比143倍に伸長
- 影響領域: サプライチェーン/メモリ
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見出し: JDI茂原工場売却にMicronなどが関心 後工程やDC転用で争奪戦
- 要点(2–4行):
- 旧OLED工場の建屋と電源を先端パッケージやガラス基板、AIデータセンターへ転用検討
- 約550億円規模で協議 電源増強や改修費分担が成否の鍵
- 国内生産集約を進めるJDIの財務再建にも影響
- 影響領域: サプライチェーン/製造
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見出し: 中国で世界初のSiCスーパージャンクションMOSFET登場 高温特性を改善
- 要点(2–4行):
- AlkaidSemiが1635V耐圧SiC SJ MOSFETを発表しAEC-Q101を取得
- 高温域でのオン抵抗ドリフトを大幅抑制し電力密度を向上
- EV高電圧システムやAIデータセンターの高圧直流給電に適用を狙う
- 影響領域: 製造/材料
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見出し: InfineonとSolarEdgeが800V DCの固体遮断器を開発 AIデータセンター保護を強化
- 要点(2–4行):
- CoolSiC JFETを用いたソリッドステートサーキットブレーカでマイクロ秒級遮断を実現
- 中電圧からラックまでDCネイティブの配電アーキテクチャを拡張
- 高効率化と高信頼の両立で高電力密度コンピューティングを支援
- 影響領域: 装置
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見出し: NXPが10BASE-T1S内蔵の産業向けMCU MCX A5を発表
- 要点(2–4行):
- デジタルPHY内蔵で低コスト配線とPLCA対応のマルチドロップ接続を容易化
- 最大2MBフラッシュとEdgeLockでセキュリティと低消費電力を両立
- インダストリアルのプロトコル変換やゲートウェイ用途を想定
- 影響領域: 設計
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見出し: ルネサスがRZ/G3LとG3SEを投入 HMIとIoTエッジを強化
- 要点(2–4行):
- Cortex-A55最大4コアとM33を搭載しPCIeやTSN対応GbEなど高速IFを実装
- 1mW級スタンバイでLinuxを保持し高速復帰を実現
- ピン互換で製品ラインのスケーラビリティを確保
- 影響領域: 設計
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