Report: 2026-09-20
本日のトピック（2026-09-19 06:00 → 2026-09-20 06:00 JST）
- 見出し: メモリ暴騰で2026年半導体市場が想定外の急拡大
- 要点(2–4行):
- WSTSの2026年7月実績は前年比135.1%増で過去最高を更新
- DRAMとNANDの容量単価が前年比で各約7倍に急騰
- 通年市場は前年比2倍超への上方再計算が示唆
- 影響領域: メモリ/サプライチェーン
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見出し: SiCの300mm化とEV採用が日本勢でも前進
- 要点(2–4行):
- レゾナックが300mm SiC単結晶の成長と基板加工に成功
- ロームのSiCがBMWの次世代EV Neue Klasseに採用
- 基板大口径化と車載アプリの両面で進展
- 影響領域: 材料/製造
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見出し: 半導体装置の部品納期が最大40カ月との報道
- 要点(2–4行):
- 韓国電子新聞の報道で日本製中核部品が最大40カ月の事例
- 供給元の能力逼迫で価格上乗せでも前倒し困難
- SEMIは2026年の300mmメモリ装置投資を520億ドルと予測
- 影響領域: 装置/サプライチェーン
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見出し: 中国のDUVで3nm級GAA報道に慎重評価
- 要点(2–4行):
- EUV非依存でGAA開発完了との報道に対しエビデンス不足を指摘
- 素子の開閉比50万は示されたが回路性能や歩留まりは未提示
- DUV多重パターニングや配線工程の制約検証が今後の焦点
- 影響領域: 製造/ファウンドリ
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見出し: IntelがHigh NA EUVを量産導入も電気的ステッチが課題
- 要点(2–4行):
- Panther LakeでHigh NAの製造適用を検証
- 電気的ステッチと大型マスクの実証が次の関門
- 影響領域: 製造/装置/ファウンドリ
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見出し: GFとMarvellが光接続向けSiGeの生産能力を拡大
- 要点(2–4行):
- 米バーリントン拠点で複数年契約を拡大しSiGe供給を強化
- 着脱型トランシーバーに加えNPOやCPOも対象
- 現行SiGeは1レーン200Gbps級に対応と説明
- 影響領域: ファウンドリ/製造/材料
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見出し: CXMTが北京でNAND研究開発ライン計画と報道
- 要点(2–4行):
- DRAM大手CXMTがフラッシュ参入準備を進める計画が浮上
- AIストレージ向け購入意向の顧客と協議との情報
- 稼働時期や商業生産移行は未定で影響は流動的
- 影響領域: メモリ/製造/サプライチェーン
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見出し: EDAと実装でAI関連の新技術論文が相次ぎ公開
- 要点(2–4行):
- DRC自動修復や高密度配線の強化学習など設計最適化が前進
- 2.5D 3D ICの熱予測ベンチやBEOL熱伝導モデルを公開
- AI設計支援の実務適用と熱設計の一般化に向けた基盤整備が進展
- 影響領域: EDA/設計/製造
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見出し: TSMCの2nmと先端実装で動きが相次ぐ
- 要点(2–4行):
- MediaTek Dimensity 9600 ProがN2P採用と報道
- 新竹龍潭拡張が承認されアングストローム級計画が前進
- CoWoS LがAIチップパッケージで2028年まで優位との分析
- 影響領域: ファウンドリ/製造/サプライチェーン
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見出し: スマホ市場でSamsungが台数首位もAppleが売上で圧倒
- 要点(2–4行):
- 2026年上期出荷シェアはSamsung21.8%でAppleを0.9ポイント上回る
- Q2売上高シェアはApple49%対Samsung16%で約3.1倍の差
- 高価格帯比率拡大の中でAppleが価値側の主導権を維持
- 影響領域: サプライチェーン
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