Report: 2026-10-01
本日のトピック（2026-09-30 06:00 → 2026-10-01 06:00 JST）
- 見出し: 新光電気がJDI茂原工場を取得し先端半導体パッケージ拠点化
- 要点(2–4行):
- 2027年3月31日引渡しで2028年度稼働を予定
- AI向け大型・多層フリップチップパッケージの生産能力拡充を加速
- 西側エリアはFICTに譲渡し協業を強化、JDIは譲渡益を特別利益に計上予定
- 影響領域: 製造/サプライチェーン
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見出し: TOPPANとBroadcomの合弁ASTがシンガポールにFC-BGA基板工場を開所
- 要点(2–4行):
- 大型・高多層FC-BGAを生産する日本国外初拠点で新潟工場を補完
- R&D機能も備え需要拡大とBCPに対応しグローバル供給を強化
- Broadcomが主要顧客で基板不足の緩和とサプライチェーン強靭化を狙う
- 影響領域: 製造/サプライチェーン
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見出し: HBM価格は2027年に前年比2.2倍へ 8層品の採用検討が進展
- 要点(2–4行):
- 供給逼迫とHBM4比率上昇にHBM4E立ち上がりが重なり価格を押し上げ
- GPU各社は12層から8層への切替でBOM抑制と台数確保を模索
- 8層HBMはベースダイコストが相対的に重くGb単価が12層比10〜20％高い見通し
- 影響領域: メモリ/サプライチェーン
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見出し: SynopsysとTSMCがA14対応とエージェントAIで設計自動化を拡大
- 要点(2–4行):
- A14向けデジタル/アナログEDAフローが認証取得しアナログ自動配置配線を提供
- LLMとエージェントAIで3DIC/チップレットのフロアプラン最適化と設計収束を高速化
- CoWoSやCOUPE対応でUCIeやPCIe 7.0など主要IPの実証とテープアウトを進展
- 影響領域: EDA/設計/ファウンドリ
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見出し: Noritakeが水のみでSiC端面研磨可能なダイヤ砥粒内包パッドを開発
- 要点(2–4行):
- ダイヤスラリー不要で産業廃棄物低減と砥粒使用量削減を両立
- 端面の欠けや異物付着を抑えて歩留まり向上し8インチSiCの安定供給に寄与
- セラミック基板の平面研磨にも適用可能
- 影響領域: 材料/製造
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見出し: 京大らが6インチSiCウエハー全面でn型/p型JFETを一括作製
- 要点(2–4行):
- ウエハー中心90mm領域でしきい値ばらつきの標準偏差0.07V以下を確認
- 高温動作SiC ICの実用化に向けた重要な技術的マイルストーン
- 今後は複雑な論理/制御回路の集積や耐熱パッケージ開発を推進
- 影響領域: 製造/材料
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見出し: NVIDIAがガラス基板の早期導入を検討も量産鍵は認証と歩留まり
- 要点(2–4行):
- 2028年前の導入可能性が報じられる一方でTGV金属化や大型化対応が課題
- TSMCの検証パッケージは9.5レチクル世代の必要面積比約52％規模にとどまる
- Samsung電機やAbsolicsは27〜28年の量産目標で顧客認証がボトルネック
- 影響領域: パッケージ/サプライチェーン/材料
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見出し: IntelがmicroLED内蔵ガラス基板の特許取得 光I O実装への布石
- 要点(2–4行):
- TGVで給電しガラス越しに発光を取り出す構造でパッケージ内表示や診断に応用可能
- 実用の光通信には受光器や導波路統合とリンク誤り率の検証が不可欠
- OCIや並列microLED通信特許と組み合わせた高帯域光I Oの可能性を示唆
- 影響領域: パッケージ/装置/設計
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見出し: Wolfspeedがプレミアム200mm SiC基板を追加 欠陥低減で歩留まり改善を狙う
- 要点(2–4行):
- マイクロパイプ密度0.01/cm2未満など材料品質を強化し形状安定性とロット一貫性を向上
- 既存エピ工程を変えずに性能改善が期待できるとし量産供給を開始
- 影響領域: 材料/製造
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見出し: EatonがInfineon SiC採用の中圧SSTを展開 800V DCのAIデータセンター電源を高効率化
- 要点(2–4行):
- MVSST 2.0で変換段数を削減し効率と電力密度を改善し柔軟な配電を実現
- 将来は2.3kV/3.3kV SiCモジュールでより高電圧対応と信頼性向上を目指す
- 影響領域: 装置/材料/サプライチェーン
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