Report: 2026-10-07
本日のトピック(2026-10-06 06:00 → 2026-10-07 06:00 JST)
- 見出し: Micronが四半期売上・利益で過去最高を更新
- 要点(2–4行):
- 2026会計年度第4四半期の売上高は前年同期比379%増の542億2900万ドルで6期連続過去最高
- 営業利益は4期連続過去最高で営業利益率はGAAP80.7%・Non-GAAP82.3%
- データセンターやモバイルなど主要BUの粗利率は83〜90%と高水準
- 影響領域: メモリ/サプライチェーン
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: MicronとNetlistが特許紛争を和解し5年契約を締結
- 要点(2–4行):
- MicronがNetlistに対し総額6億ドルのライセンス料支払いで合意
- 5年間の特許ライセンスと包括的な和解により係争を収束
- 知財リスクの解消でメモリ製品の供給安定とコスト見通しの改善に寄与
- 影響領域: メモリ/サプライチェーン
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: ASMLジャパンが国内体制を強化し2030年度に人員700人規模へ
- 要点(2–4行):
- 設立25周年を機に国内8拠点・7倉庫のサポート網を拡充
- 熊本や千歳など先端ファブ集積地域で人員倍増を含む体制強化
- AI需要と微細化加速を踏まえ日本の露光サプライチェーンの重要性を強調
- 影響領域: 装置/サプライチェーン
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: 日立ハイテクが91ビームのマルチビーム電子線検査を加速
- 要点(2–4行):
- ZEISS SMTのマルチビームカラムと自社ステージ・AI画像処理を統合
- シングルビーム比で数十倍の検査速度を試作機オンサイトで確認
- 2nmやHigh-NA EUV時代の微小欠陥検出に対応し量産現場での適用を目指す
- 影響領域: 装置/製造
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: レゾナックが300mm SiC単結晶基板を初公開しサンプル提供に応じる姿勢
- 要点(2–4行):
- ICSCRM 2026で300mm SiCインゴットと基板を展示し大口径化の成果を披露
- 成長時の熱分布制御やスライス・研磨工程の改良で大口径化を実現
- 300mmの知見を150/200mmエピウエハーの品質向上に還元しつつ要望に応じサンプル提供
- 影響領域: 材料/製造/サプライチェーン
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: Rapidusがグローバル設計エコシステム「Rapidus CORE」を始動
- 要点(2–4行):
- 第1弾のDesign Solution AssociateにCadenceやSynopsysなど17社が参画
- 人材不足を補完し顧客の早期設計着手から製造までの立ち上げを支援
- 先端ロジック量産に向けた垂直連携を強化し国内外の設計リソースを結集
- 影響領域: ファウンドリ/設計/EDA/サプライチェーン
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: プラズマ無しで直接接合可能なALD-Al2O3薄膜を実証 横国大とKOKUSAI
- 要点(2–4行):
- 原子層堆積した約5nmのAl2O3でプラズマ処理・CMP無しの自己活性化接合を達成
- 300℃熱処理後もボイドフリーで高強度を維持し薄化工程に耐性
- 前処理削減による装置構成の簡素化とコスト低減が期待
- 影響領域: 製造/材料
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: 金沢大がダイヤモンドの原子層レベルエッチング制御技術を開発
- 要点(2–4行):
- Ti/Auマスクと窒素添加水素プラズマでダイヤモンド111面の深さをナノメートル精度で制御
- layer-by-layer機構を提案し原子的平坦性を保った高精度トレンチ形成を実証
- 半導体・量子デバイス応用に向けた加工基盤技術を確立
- 影響領域: 材料/製造
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: 世界半導体売上が年初来で初の1兆ドル突破 年間1.6兆ドル超を予測
- 要点(2–4行):
- 2026年1〜8月累計が1兆83億ドルとなり大台到達
- 8月単月は前年同月比144.3%増の1597億ドルで18カ月連続成長
- 地域別では米州・アジア太平洋・中国が牽引し日本のシェアは3.8%
- 影響領域: サプライチェーン/ファウンドリ/メモリ
-
一次ソースURL(代表のみ箇条書き)
-
見出し: MicrochipとNavitasが800Vラック向けDC-DC基板を公開 AIデータセンターの高効率電源を狙う
- 要点(2–4行):
- OCPの800Vアーキテクチャに対応し800Vから6Vへ単段変換を実現
- dsPIC33AKとTA100に加え650V GaNFast FETを16個採用し最大96%効率・2,100W/in³を達成
- GPU近傍実装を想定し高周波1MHz駆動で電力密度と応答性を両立
- 影響領域: 設計/サプライチェーン
- 一次ソースURL(代表のみ箇条書き)